MMBT5551LT1G 分立半导体 晶体管

型号；MMBT5551LT1G

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息 

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:160 V

集电极—基极电压 VCBO:140 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

集电极—射极饱和电压:0.15 V

最大直流电集电极电流:0.6 A

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MMBT5551L

直流电流增益 hFE 

最大值:250 

高度:0.94 mm 

长度:2.9 mm 

封装:Cut Tape 

封装:MouseReel 

封装:Reel 

宽度:1.3 mm 

商标:ON Semiconductor 

集电极连续电流:0.6 A 

直流集电极/Base Gain hfe Min:80 Pd-

功率耗散:225 mW 

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 

工厂包装数量:3000 

子类别:Transistors 

单位重量:8 mg

Mouser编号：863-MMBT5551LT1G

制造商编号：MMBT5551LT1G

制造商：ON Semiconductor

说明：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 160V NPN

数据表: MMBT5551LT1G 数据表