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产品属性
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BSS83P的主要参数
型号:BSS83P
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:330 mA
Rds On-漏源导通电阻:3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V
Qg-栅极电荷:2.38 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:360 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.1 mm
长度:2.9 mm
产品:MOSFET Small Signal
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:1.3 mm
商标:Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:0.24 S
下降时间:61 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:71 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:56 ns
典型接通延迟时间:23 ns
零件号别名:BSS83PH6327XT BSS83PH6327XTSA1 SP000702486
单位重量:8 mg
Mouser编号:726-BSS83PH6327
制造商编号:BSS83P H6327
制造商:Infineon Technologies
说明:MOSFET P-Ch SOT-23-3
公司简介:
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BSS83P
SOT-23
Infineon
3000
8mg