IRFB4227PBF 分立半导体 晶体管

型号；IRFB4227PBF

制造商:Infineon

产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息

 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-ChannelVds-

漏源极击穿电压:200 VId-

连续漏极电流:65 ARds On-

漏源导通电阻:24 mOhmsVgs - 

栅极-源极电压:30 VQg-

栅极电荷:70 nC

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 CPd-

功率耗散:330 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:15.65 mm 

长度:10 mm 

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:4.4 mm 

商标:Infineon Technologies 

正向跨导 - 最小值:49 S 

下降时间:31 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:20 ns 

工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:21 ns 

典型接通延迟时间:33 ns 

零件号别名:SP001565892 

单位重量:6 g

Mouser编号：942-IRFB4227PBF

制造商编号：IRFB4227PBF

制造商：Infineon Technologies

说明：MOSFET MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg

数据表: IRFB4227PBF 数据表