IRFB38N20D 分立半导体 晶体管

型号；IRFB38N20D

制造商:Infineon

产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-ChannelVds-

漏源极击穿电压:200 VId-

连续漏极电流:44 ARds On-

漏源导通电阻:54 mOhmsVgs - 

栅极-源极电压:30 VQg-

栅极电荷:60 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 CPd-

功率耗散:320 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:15.65 mm 

长度:10 mm 

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:4.4 mm 

商标:Infineon Technologies 

正向跨导 - 最小值:17 S 

下降时间:47 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:95 ns 

工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:29 ns 

典型接通延迟时间:16 ns 

零件号别名:SP001556010 

单位重量:6 g

Mouser编号：942-IRFB38N20DPBF

制造商编号：IRFB38N20DPBF

制造商：Infineon Technologies

说明：MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

数据表: IRFB38N20DPBF 数据表