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产品属性
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BD681的主要参数
型号:BD681
制造商:STMicroelectronics
产品种类:达林顿晶体管
配置:Single
晶体管极性:NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—基极电压 VCBO:100 V
最大直流电集电极电流:4 A
最大集电极截止电流:200 uAPd-
功率耗散:40 W
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:SOT-32
最大工作温度:+ 150 C
系列:BD681
高度:10.8 mm
长度:7.8 mm
宽度:2.7 mm
商标:STMicroelectronics
集电极连续电流:4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:750
产品类型:Darlington Transistors
工厂包装数量:2000
子类别:Transistors
Mouser编号:511-BD681
制造商编号:BD681
制造商:STMicroelectronics
说明:达林顿晶体管 NPN Power Darlington
公司简介:
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BD681
SOT-32
ST
2000
达林顿晶体管 NPN Power Darlington