IKW40N120H3IGBT 晶体管

型号；IKW40N120H3

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

 技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.05 V

栅极/发射极最大电压:20 V在25 C的

连续集电极电流:80 APd-

功率耗散:483 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:HighSpeed 3

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:80 A 

商标:Infineon Technologies 

栅极—射极漏泄电流:600 nA 

产品类型:IGBT Transistors 

工厂包装数量:240 

子类别:IGBTs 

商标名:TRENCHSTOP

 零件号别名:IKW40N120H3FKSA1 IKW4N12H3XK SP000674416 

单位重量:38 g

Mouser编号：726-IKW40N120H3

制造商编号：IKW40N120H3

制造商：Infineon Technolgies

说明：IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

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