FDV301N MOSFET 二极管

地区:广东 深圳
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型号;FDV301N FDV301N

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFETRoHS: 

详细信息 技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-ChannelVds-

漏源极击穿电压:25 VId-

连续漏极电流:220 mARds On-

漏源导通电阻:5 OhmsVgs - 

栅极-源极电压:8 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 CPd-

功率耗散:350 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.2 mm 

长度:2.9 mm

 产品:MOSFET Small Signal 

系列:FDV301N 

晶体管类型:1 N-Channel

 类型:FET 

宽度:1.3 mm 

商标:ON Semiconductor / Fairchild 

正向跨导 - 最小值:0.2 S 

下降时间:6 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:6 ns 

工厂包装数量:3000 

子类别:MOSFETs

 典型关闭延迟时间:3.5 ns

 典型接通延迟时间:3.2 ns

 零件号别名:FDV301N_NL 

单位重量:31 mg

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型号/规格

FDV301N

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOT-23-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

单件包装

功率特性

超大功率

频率特性

超高频