SPI20N60C3 晶体管 MOSFET

地区:广东 深圳
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SPI20N60C3 SPI20N60C3 SPI20N60C3 SPI20N60C3

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS: 详细信息

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:20.7 A

Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Qg-栅极电荷:87 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:208 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Tube

高度:9.45 mm

长度:10.2 mm

系列:CoolMOS C3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:6.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:59 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:SP000014453 SPI20N60C3HKSA1 SPI2N6C3XK

单位重量:2.387 g

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型号/规格

SPI20N60C3

品牌/商标

Infineon

封装

TO-262

批号

NA

起订

1