IXFT20N80Q 晶体管

IXFT20N80Q IXFT20N80Q IXFT20N80Q IXFT20N80Q

制造商:IXYS

产品种类:MOSFET

RoHS: 详细信息

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-268-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:420 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:HyperFET

封装:Tube

高度:5.1 mm

长度:16.05 mm

系列:IXFT20N80

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:14 mm

商标:IXYS

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:27 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:74 ns

典型接通延迟时间:28 ns

单位重量:4.500 g

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