供应MBRD835LT4G二极管现货销售速来

该二极管的主要原理是利用PN结的单向电导率，在PN结上添加引线和封装而成二极管。
该晶体二极管是由p型半导体和n型半导体形成的PN结。在界面两侧形成空间电荷层，建立自建电场

无外加电压时，PN结两侧载流子浓度差引起的扩散电流与自建电场引起的漂移电流相等，处于电平衡状态。
当外部电压偏置为正时，外部电场与自建电场的相互作用会增大载流子的扩散电流，产生正向电流。

当外部存在反向偏置电压时，进一步加强外部电场和自建电场，

在一定的反向电压范围内形成与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。
施加的反向电压达到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值，导致载流子倍增过程，

大量电子空穴对产生，产生大量反向击穿电流，称为二极管击穿现象。PN结的反向击穿可分为齐纳击穿和雪崩击穿。

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参数：

MBRD835LT4G

C06-二极管

ON SEMICONDUCTOR

TO-252-2(DPAK)

2213

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5,000

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