产品详情

供应IXTA3N60P

地区：北京 北京市
认证： 无

北京天阳诚业科贸有限公司

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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Id-连续漏极电流: 3 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.9 Ohms
配置: Single
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.5 V
Qg-栅极电荷: 9.8 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-2
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
下降时间: 22 ns
正向跨导 - 最小值: 2.2 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 25 ns
系列: IXTA3N60
工厂包装数量: 50
商标名: PolarHV
典型关闭延迟时间: 58 ns
单位重量: 1.600 g
型号/规格

IXTA3N60P

品牌/商标

IXYS Corporation