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供应STL24N60M2

地区：北京 北京市
认证： 无

北京天阳诚业科贸有限公司

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制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 25 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 186 mOhms
配置: Single
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
Pd-功率耗散: 125 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerFLAT-4 8x8 HV
封装: Reel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 15 ns
上升时间: 9 ns
系列: STL24N60M2
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 60 ns