产品信息
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场效应管 MOSFET P SO-8
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晶体管极性: N沟道
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电流, Id 连续: 9.5A
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漏源电压, Vds: 80V
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在电阻RDS(上): 16.5mohm
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电压 @ Rds测量: 10V
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阈值电压 Vgs: 2V
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功耗 Pd: 1.56W
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Transistor Case Style: SOIC
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针脚数: 8
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工作温度最高值: 150°C
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MSL: MSL 1 -无限制
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封装: 剪切���
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工作温度最小值: -55°C
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工作温度范围: -55°C 至 +150°C
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漏极电流, Id 最大值: 9.5A
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电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
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电压, Vds 典型值: 80V
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电压, Vgs 最高: 2V
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十年来,我们深耕于飞速发展的电子元器件产业,与全球各大知名电子元器件厂商建立了长期、稳定的合作关系,建立了完善的全球采购网络,具备全球调货能力。以此为依托,我们为全国数千家企事业单位提供快速、便捷的国际电子元器件采购服务。为了更快满足客户需求,我们常备海量现货库存,亦可提供期货产品订购服务。同时,我们还以最优价格为客户处理各种原装过剩库存,帮助客户进一步降低生产成本,以实现客户利益最大化。
“只做原装正品”是我们十年来一直秉持的经营理念,这一理念深深植根于每个天阳诚业员工的内心,并将永远如明灯伴随我们未来发展的每一步。