NTS4101PT1G P沟道MOSFET场效应管 原装现货

零件状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.37A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
120 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
9 nC @ 4.5 
Vgs
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
840 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散
329mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
NTS4101PT1G P沟道MOSFET场效应管 原装现货
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