全新AO4812场效应管,30V6A,双N沟道MOSFET,

商品目录MOSFET/场效应管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）6A

漏源电压（Vdss）30V

栅源极阈值电压1.4V @ 250uA

漏源导通电阻 30mΩ @ 6A,10V

类型N 沟道

最大功率耗散（Ta）2W

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主营范围：集成IC、MOSFET场效应管