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产品属性
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):26.5 毫欧 @ 5.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1100pF @ 15V
功率 - 最大值:1.4W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3L
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主营范围:集成IC、MOSFET场效应管
AO3400
AOS
SOT23-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
288000
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