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15N10 TO-252 足15A100V低内阻N沟道MOS场效应管 AP15N10D 现货

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市质嘉达科技有限公司

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品牌

全新

型号

15N10

封装

TO-252

批号

19+

FET类型

N沟道MOSFET

漏源电压（Vdss）

100V

漏极电流(Id)

15A

漏源导通电阻(RDS On)

/

栅源电压(Vgs)

20V

栅极电荷(Qg)

15.6nC

反向恢复时间

/

耗散功率

30000

配置类型

/

工作温度范围

-55 TO -155°C

安装类型

SMD表面封装

应用领域

3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,安防设备,家用电器,军工/航天,广电教育,智能家居,照明电子,测量仪器,可穿戴设备,汽车电子,网络通信