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规格信息驱动配置低压侧FET类型独立式驱动器数2栅极类型N 沟道,P 沟道 MOSFET电压-电源4.5 V ~ 15 V逻辑电压 -VIL,VIH0.8V,2.4V电流-峰值输出(灌入,拉出)2A,2A输入类型反相上升/下降时间(典型值)7.5ns,10ns工作温度-40°C ~ 125°C (TJ)封装/外壳8-SOIC
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