NGTB10N60R2DT4G IGBT晶体管 ON

NGTB10N60R2DT4G

IGBT 晶体管 RC2 IGBT 10A 600V DPAK 600V, 10A, N-Channel

型号: NGTB10N60R2DT4G

制造商: ON Semiconductor 

产品种类: IGBT 晶体管 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

封装 / 箱体: DPAK-3 

安装风格: SMD/SMT 

配置: Single 

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V 

集电极—射极饱和电压: 1.7 V 

栅极/发射极最大电压: +/- 20 V 

在25 C的连续集电极电流: 20 A 

Pd-功率耗散: 72 W 

最大工作温度: + 175 ℃ 

封装: Cut Tape 

包装: Reel 

集电极最大连续电流 Ic: 10 A  

商标: ON Semiconductor  

栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA  

产品类型: IGBT Transistors  

工厂包装数量: 2500  

子类别: IGBTs  

单位重量: 350 mg

NGTB10N60R2DT4G Features

 Reverse Conducting II IGBT

 IGBT VCE(sat)=1.7V (typ) [IC=10A, VGE=15V]

 IGBT tf=65ns (typ)

Diode VF=1.5V (typ) [IF=10A]

Diode trr=90ns (typ)

5s Short Circuit Capability

NGTB10N60R2DT4G Applications

 General Purpose Inverter

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta=25C, Unless otherwise specified

Parameter Symbol Value Unit

Collector to Emitter Voltage VCES 600 V

Gate to Emitter Voltage VGES 20 V

Collector Current (DC) @Tc=25C *2 IC *1 20 A

Limited by Tjmax @Tc=100C *2 10 A

Collector Current (Peak) ICP 40 A

Pulse width Llimited by Tjmax

Diode Average Output Current IO 10 A

Power Dissipation PD 72 W

Tc=25C (Our ideal heat dissipation condition) *2

Junction Temperature Tj 175 C

Storage Temperature Tstg 55 to +175 C