供应晶体管

产品种类:射频MOSFET晶体管
RoHS:详细信息
配置:Dual
晶体管极性:N-Channel
频率:175 MHz
增益:14 dB
输出功率:300 W
Vds-漏源极击穿电压:125 V
Id-连续漏极电流:40 A
Vgs-栅源极击穿电压:+/- 40 V
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:Case 375-04
封装:Tray
商标:MACOM
最小工作温度:- 65 C
Pd-功率耗散:500 W
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V