制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Vishay Semiconductors
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 36.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V to 3.5 V
Qg-栅极电荷: 17.5 nC
最大工作温度: + 150 C
技术: Si
封装: Reel
配置: Dual
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 最小值: 40 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 46 W
上升时间: 12 ns
商标名: ThunderFET TrenchFET
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 506.600 mg
