供应BF999E6327HTSA1

制造商: Infineon 
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 
RoHS: 符合RoHS 详细信息 
晶体管极性: N-Channel 
Id-连续漏极电流: 30 A 
Vds-漏源极击穿电压: 20 V 
技术: Si 
最大工作温度: + 150 C 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: SOT-23 
封装: Reel 
商标: Infineon Technologies 
最小工作温度: - 55 C 
Pd-功率耗散: 200 mW 
系列: BF999 
工厂包装数量: 3000 
类型: RF Small Signal MOSFET 
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 6.5 V 
零件号别名: BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP 
单位重量: 201 mg