供应ECH8695R-TL-W

制造商: ON Semiconductor 
产品种类: MOSFET 
RoHS: 符合RoHS 详细信息 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: ECH-8 
通道数量: 2 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 24 V 
Id-连续漏极电流: 11 A 
Rds On-漏源导通电阻: 9.1 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 12.5 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V 
Qg-栅极电荷: 10 nC 
最大工作温度: + 150 C 
封装: Reel 
商标: ON Semiconductor 
配置: Dual 
下降时间: 22.3 us 
最小工作温度: - 55 C 
Pd-功率耗散: 1.4 W 
上升时间: 320 ns 
晶体管类型: 2 N-Channel 
典型关闭延迟时间: 19.7 us 
典型接通延迟时间: 300 ns