制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 10 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 14.9 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V to 4 V
Qg-栅极电荷: 40 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.6 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PQFN-6
封装: Reel
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 6.5 ns
正向跨导 - 最小值: 66 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 9.7 ns
工厂包装数量: 4000
典型关闭延迟时间: 21 ns
