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N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) < 8mΩ @ VGS=10V,VDS=70V VGS=30V ID=118A,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。
NCE
NCE7580
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
恒泰柯功率MOSFET
电力场效应晶体管
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