现货SPW20N60S5

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INFINEON英飞凌原装COOLMOS产地:德国

SPA20N60S5   TO-247

相关介绍

SPP20N60S5    VDS/600V;  RDS0.19Ω;   /D/20.7A;  208W;

Marking:20N60S5

 

英飞凌的功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术,这是一种全球领先的工艺技术,而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术;离子注入技术与热扩散技术相比,其优点在于,离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度,精度极高,制造的器件有一个重要特点就是一致性特别好,而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高,所以器件的一致性不如离子注入技术。

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品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

SPW20N60S5

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

600

夹断电压

600

极间电容

50