供应英飞凌MOS 11N60

代理经销SPP11N60C3 SPA11N60C3英飞凌MOS管价格优惠

主要参数    产地：德国

SPP11N60C3:COOLMOS 11A 600V 0.38ohm 120W TO-220
SPA11N60C3:COOLMOS 11A 600V 0.38ohm 33W TO-220F

英飞凌的功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术，这是一种非常领先的工艺技术，而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术；离子注入技术与热扩散技术相比，其优点在于，离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度，精度极高，生产的器件有一个重要特点就是一致性特别好，而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高，所以器件的一致性不如离子注入技术。

富利通电子主要产品：IGBT单管，IGBT模块，可控硅，场效应(MOS)管，快恢复二极管，电源IC，光耦等，是专业的高性价比电源器件供应商。专向电焊机，焊接设备，开关电源，变频器，控制器，逆变器，照明，工防等行业提供快捷，全方位，贴心的服务。欢迎需要相关产品的朋友来电合作。

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