英飞凌全新IHW20N120R2(h20r1203)

地区:广东 深圳
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IHW20R120R3

主要参数:(可提供PDF技术文档)

   Type                  VCE       IC    VCE(sat),Tj=25°C      Tj,max
IHW20N120R3   1200V    20A           1.55V                  175°C 

   Marking                  Package

    H20R1203               PG-TO-247-3-21

INFINEON(英飞凌)原厂封装,渠道好,量大价格特惠,交货快捷.

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品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

IHW20N120R3

种类

绝缘栅(MOSFET),绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道,N沟道

导电方式

增强型,增强型

用途

HF/高频(射频)放大,HF/高频(射频)放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插,CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道,N-FET硅N沟道

集电极允许电流ICM

20

封装形式

直插型

应用范围

功率