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产品属性
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产 品 说 明
引线独石电容器特性(径向、轴向) Monolithic capacitor(radial、axial) | ||||||
特点 | Feature | |||||
² 体积小,容量大,绝缘电阻、击穿电压高等特点,适合自动安装的卷带包装。 ² 环氧树脂封装,从而具有优良的耐压、防热、防震、抗潮性能,在焊接及清洗时不损坏电容表面。 | ² Miniature size, wide capacitance,tape and reel. Packaging available for auto-placement.
² Coating by epoxy resin, creates the excellent humidity resistance and preventsbody from damaging during soldering and washing. | |||||
性能介绍Brief | ||||||
温度特性 T.C | NPO/COG | X7R(B) | Y5V(Y/F) | Z5U(E) | ||
介质种类 Dielectric type | I类电介质 Stable class I dielectric | II类电介质 Stable class II dielectric | ||||
电气性能 Electrical properties | 电气性能最稳定,基本上不随温度、电压和时间的改变而改变 With negligible dependence of electrical properties on temperature、voltage、frequency and time | 电气性能较稳定,在温度、电压与时间改变时性能的变化不显著,能早出比NPO介质容量更大的电容器 With predictable change of properties with temperature、voltage、frequency and time,this dielectric is ferroelectric and offers higher capacitance ranges than class I | 具有较高的介电常数,常用于生产比较大、标称容量较高的大容量电容器产品,但其电容稳定性能较X7R差,容量损耗对温度、电压等条件较敏感。 With high twist dielectric constant and greater variation of properties with temperature and test conditions、very high capacitance per unit volume. | |||
应用 Application | 适用于对稳定性要求高的电路,如温度补偿电路、高频震荡电路等 Use in ciprcuits requiring stable performance | 适用于隔直、耦合、旁路对容量稳定性要求不太高的鉴频电路 Use as blocking、coupling、by-passing discriminating element | 适用于要求容量较大的电路,如储能、记忆电路等 Suited for by-passing and coupling application such asstore power and memory circuit | |||
容量范围 Capacitance range | 1pF~10nF | 100pF~5μF | 1nF~14.7μF | |||
温度系数 Operating temperature | 0±30ppm/℃ -55℃~ 125℃ | ±15% -55℃~ 125℃ | 30%~-80% -25℃~ 85℃ | 22%~-56% -10℃~ 85℃ |
公 司 介 绍
福州翔威电子有限公司成立于1998年,是一家专业生产各种电容的生产厂家.
本公司具有先进的电容器生产线、精良的检测设备、雄厚的技术力量、科学有效的管理、优秀的企业资信、优质的售后服务。公司成立以来,主要致力于各类陶瓷电容的生产研发。目前我们已成功研发并生产出全系列穿心电容、高、中、低压瓷片电容、涤沦电容、电解电容、安规电容、EMC/EMI滤波器、独石电容、瓷管等多种陶瓷类电容产品。这些产品被广泛的应用于国防通信、广播电视、仪器仪表、汽车电子产品、电脑电器等领域。此外,本公司还于2007年8月通过了ISO9001:2000质量管理体系认证,并且全部产品均通过ROHS(欧盟环保)认证。本公司秉承质量第一、信誉第一、客户至上的宗旨,以高科技、高品质、高服务,深得客户的信赖,在电子业与众多企业建立了良好的业务合作关系,并享有良好的信誉,实现了双方共赢!
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50(V)
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470(uF)
0.025
50(V)
1000(mΩ)