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产品属性
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公司瓷片电容器之制造规格
一.电性能
7.1 .1静电容量
电容器之静电容量是以图一、图二、图三为原则,依据测定条件定其容量应在规定允许误差范围内,并在室温25℃之状态下进行。
7.1.2损耗角(tanδ)及Q值
与静电容量之测量同一条件下进行,并以下式计算时第I类(温度补偿型用)满足表12,第II类必须满足表11之值;
损失角(tanδ)=ωCxRx
ω:2πf(f为测试频率,Hz) (C1-C2)Q1Q2
Cx:供试电容器之静电容量(F) Q=
Rx:供试电容器之等效电阻(Ω) C1(Q1-Q2)
特性 | Q规定值 | |
静电容量 | Q值 | |
A-U | 30pF以上 | Q≧10000 |
及SL | 30pF未满 | Q≧400 20C |
V-Z | 30pF以上 | Q≧500 |
及YH | 30pF未满 | Q≧200 10C |
表11 表12
特性 | tanδ |
B | 2.5% |
D | 2.5% |
E | 2.5% |
F | 5.0% |
7.2特殊试验
7.2.1折曲试验
保持受测电容器之道线与其正规引出轴垂直,若无特别之规定,在道线之末端悬以0.5Kg之重量,将电容器本体做90。之弯曲,然后返回原位置,再以同样的速度作向后90。之弯曲,仍还回原来位置,如此反复一次道线不致折断。
7.2.2抗张强度试验
将受测体固定,在道线引出方向末端悬以0.5Kg之重量保持10s,道线不致与本体脱离或折线。
7.2.3焊接性试验
将受测体之道线浸于洁焊接剂至离本体切线4.5mm处后,浸人温度约230℃±5℃锡溶液中致道线跟部4mm直到2±0.5s,取出后道线周围没有裂痕。
7.2.4高温负荷测试
将温度保持在受测体之最高使用温度开始在两引线间加以工作电压2倍之直流电压500±12小时,若进行中有短路时,取出不良之受测体,其余继续试验,试验后之特性必须满足如下记:静电容量变化率为±30%以内,Q或tanδ为7.5%以下,IR为1000MΩ以上。
7.2.5耐温负荷试验
将受测之本体转于温度40±20℃湿度90-95%之状态中继续加以工作电压1000±12小时以后,取出置于常温、常湿中1小时,再测其电特性,其值必须在规定容量范围内。
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dersonic
低压瓷片电容
陶瓷(瓷介)
低压
圆片形
小功率
低频
固定
径向引出线
-20~80(%)
50(V)
0.15(uF)
50(V)
10000(mΩ)
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