四方牌大功率可控硅、晶闸管模块MTC400A(强迫风冷)

地区:浙江 杭州
认证:

浙江四方电子有限公司

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范围

本标准规定了大功率焊接式高压可控硅模块(含芯片)的外形尺寸、额定值、特性值、检验规则、试验方法、标志、包装、运输、贮存。本标准适用于按单个器件额定通态平均电流在500A至1000A的大功率焊接式高压可控硅模块(含芯片)。

规范性引用标准

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。

GB/T 2900.32—1994  电工术语  电力半导体器件

GB/T4589.1-1989半导体器件  分立器件和集成电路总规范(idt IEC60747-10:1984)

GB 4728.5—1985  电气图用图形符号  半导体管和电子管(neq IEC 617-5:1983)

GB 4024—83  半导体器件反向阻断三极晶闸管的试验方法

GB/T 4937—1995  半导体器件机械和气候试验方法(idt IEC749:1984)

GB/T 4938—1995  半导体分立器件接收和可靠性(idt IEC147:1976)

JB/T 2423—1999  电力半导体器件型号编制方法

JB/T 4277—1996  电力半导体器件包装

JB/T 5846—1991  晶闸管特性曲线计算指南

JB/T 7626—1994  反向阻断三级晶闸管测试方法

JB/T 6306—92    电力半导体模块外形尺寸

JB/T 7625.2—94  晶闸管模块测试方法 臂对和反并联臂对

JB/T 7826.1—1995  MT、MF系列臂对晶闸管模块

 

 

 

 

产品型式

3.1 型号说明

大功率焊接式高压可控硅模块的型号按JB/T 7826.1—1995规定,如下:

M T C×××-×× 

 

××-表示断态和反向重复峰值电压级数(按表2)

×××-表示通态平均电流值(单位:A)

C-表示电路形式为串联

T-表示器件类别为晶闸管(可控硅)

M-表示模块

3.2 图形符号

电气图用可控硅模块芯片的图形符号符合GB 4728.5的规定,如图1所示。

3.3 外形尺寸

3.3.1 双孔单向装散热器式模块按JB/T 6306—92中3.3.2。

3.3.2 四孔单向装散热器式模块按JB/T 6306—92中3.3.3。

品牌/商标

四方

型号/规格

MTC

控制方式

单向

极数

三极

封装材料

树脂封装

封装外形

平底形

关断速度

普通

散热功能

带散热片

频率特性

中频

功率特性

大功率

额定正向平均电流

400(A)

控制极触发电流

200(mA)

稳定工作电流

300(A)

反向重复峰值电压

1600(V)