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产品属性
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1 范围
本标准规定了大功率焊接式高压可控硅模块(含芯片)的外形尺寸、额定值、特性值、检验规则、试验方法、标志、包装、运输、贮存。本标准适用于按单个器件额定通态平均电流在500A至1000A的大功率焊接式高压可控硅模块(含芯片)。
2 规范性引用标准
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T 2900.32—1994 电工术语 电力半导体器件
GB/T4589.1-1989半导体器件 分立器件和集成电路总规范(idt IEC60747-10:1984)
GB 4728.5—1985 电气图用图形符号 半导体管和电子管(neq IEC 617-5:1983)
GB 4024—83 半导体器件反向阻断三极晶闸管的试验方法
GB/T 4937—1995 半导体器件机械和气候试验方法(idt IEC749:1984)
GB/T 4938—1995 半导体分立器件接收和可靠性(idt IEC147:1976)
JB/T 2423—1999 电力半导体器件型号编制方法
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JB/T 7826.1—1995 MT、MF系列臂对晶闸管模块
3 产品型式
3.1 型号说明
大功率焊接式高压可控硅模块的型号按JB/T 7826.1—1995规定,如下:
M T C××× -××
××-表示断态和反向重复峰值电压级数(按表2)
×××-表示通态平均电流值(单位:A)
C-表示电路形式为串联
T-表示器件类别为晶闸管(可控硅)
M-表示模块
3.2 图形符号
电气图用可控硅模块芯片的图形符号符合GB 4728.5的规定,如图1所示。
3.3 外形尺寸
3.3.1 双孔单向装散热器式模块按JB/T 6306—92中3.3.2。
3.3.2 四孔单向装散热器式模块按JB/T 6306—92中3.3.3。
四方
MTC400A
单向
三极
树脂封装
平底形
普通
带散热片
中频
大功率
400(A)
250(mA)
400(A)
1800(V)