供应TK100E10N1

产品属性类型描述类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVIII-H
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Ta）
驱动电压（ Rds On，Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
3.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
140 nC @ 10 V
Vgs
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
8800 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散
255W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
TK100E10