红外线发光二极管编辑
红外线light emitting diode。
主要以gaas系列材料发展为主，通常以lpe液相磊晶法的方法制作，发光波长从850~940不等。
gap 磷化镓。
磷化镓，是Ⅲ-Ⅴ族（三五族）元素化合的化合物。gap是一种间接迁移型半导体，具有低电流、高效率的发光特性，可发光范围函盖红色至黄绿色，为led主要使用材料之一。
gan 氮化镓。
氮化镓，是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物。gan使movpe制作技术，可制作高亮度纯蓝光led及纯绿光led，更可应用于蓝光、绿光雷射二极管之制作。movpe虽已是一成熟的磊晶制作技术，但以此技术制作gan蓝光led其中仍须相当的专业知识、经验和技巧。
alingap 磷化铝铟镓。
alingap此材料是近年来用在高亮度led之制造上较新的材料，使用movpe磊晶法制程。目前世界上仅有三家厂商供应此产品的公司，即美国hp、日本toshiba、台湾国联光电。
algaas 砷化铝镓。
为gaas和alas的混晶。algaas适合于制造高亮度红光及红外线led，主要以lpe磊晶法量产，但因需制作algaas基板，技术难度高。
反向粘着型薄芯片led reverse mounting type 薄芯片led。
此种芯片可粘着在穿式印刷电路板上，减少led所占的厚度。主要可用作可携式电话按键之背光源
