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供应场效应管 AOB414 B414 100V 51A N沟道 MOS TO263封装

地区：广东 深圳
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供应场效应管 AOB414 B414 100V 51A N沟道 MOS TO263封装

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产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
AOB414  场效应管 AOB414 100V 51A N沟道 MOS TO263封装
产品目录绘图
标准包装 800
系列 SDMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 51A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 25 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs 34nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2200pF @ 50V
功率 - 最大 150W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 TO-263（D2Pak）
包装 带卷 (TR)
其它名称 785-1209-2

型号/规格

AOB414 B414

品牌/商标

AOSMD

封装形式

TO-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装