供应光电二极管

onsemi的J系列低光传感器具有高PDE（光子
检测效率），这是使用大容量P-on-N实现的
硅铸造工艺。J系列传感器主要包括
运输时间分布的改善，导致显著
提高了传感器的定时性能。J系列传感器
有不同尺寸（3mm、4mm和6mm）可供选择，并使用TSV
（通过硅通孔）工艺，以的成本制造封装
死区，与行业标准无铅回流焊兼容
焊接工艺。
J系列硅光电倍增管（SiPM）结合了高
性能与固态技术的实际优势：
低工作电压、优异的温度稳定性、鲁棒性，
紧凑性、输出均匀性和低成本。更多信息
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