半导体热特性热阻抗测试仪系统_陕西天士立科技研发生产_平替T3Ster_Phase11热特性测试仪

地区:陕西 西安
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半导体热特性热阻抗测试仪系统_陕西天士立科技研发生产_平替T3Ster_Phase11热特性测试仪。产品符合JESD 51-1、JESD 51-14标准,用于DIODE、IGBT、MOSFET、HEMT、GTO、功率IC等多种类型功率器件及其模组瞬态热阻抗、热结构分析、结构函数输出


ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统


ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统的产品特点

超高精度:温度(T;)分辨率0.01℃℃,1MHz变频采样:

技术:第三代瞬态热测试技术,可输出结构函数进行热结构分析

行业:具备4路高速高精度采集模块,采样速度,精度均达到行业水平

架构:采用B/S架构控制系统、可远程对设备进行状态监控和控制,实现智能化;

瞬态监测:连续采集加热和冷却区的结温变化,同步采集温度监控点数据;

NPS技术:同步采集温度监控点(NTC/PTC)和结温数据,形成数据关系矩阵。

ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统的应用场景

器件结壳热阻测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统  

散热结构分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统  

Die-Attach热阻测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统  

DBC/AMB基本热特性测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统  

界面热阻测量与分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统  

PCB板级散热结构分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统  

散热器性能测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统  

TIM材料热导率测试ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统  

热缺陷检测ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统  

ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统的“功能指标”

 

产品品牌

天士立

 

产品型号

ST-HeatX

 

产品名称

半导体热特性测试系统

 

主要功能

适用于多种类型功率器件及其模组的瞬态热阻抗、热结构分析、结构函数输出

 

试验对象

DIODEMOSFETIGBT/IGCTHEMTGTOIC

 

试验标准

符合JESD51-1JESD51-14IEC 60747-8IEC 60747-9IEC 60747-15IEC 60749-23IEC 60749-34AEC-Q101AQG 324等相关标准要求

 

试验模式

DIODE模式

SAT模式

IGBT模式

RDSON模式

HEMT模式

 

门控电源

数量 4

输出方式 隔离输出

输出范围 -10V ~ 20V

输出误差 0.1V %2B 0.5%set

分辨率 0.01V

 

NTC/PTC

数据同步

采集

NTC测量范围 250kΩ ? 100Ω

PTC测量范围 100Ω ? 250kΩ

采样频率 1MHZ

同步时间误差 1μs

 

栅极漏电

测量

量程分辨率1nA ~ 850nA@0.01nA

量程分辨率850nA ~ 1mA@0.01uA

 

加热电源

量程 30A / 10V

电流输出误差 0.05A %2B 0.1%set

电流设定分辨率 0.01A

开关速度1μs

 

测温电流源

(主)

量程 ?0.1A ~ ?1A / 10V

分辨率 1mA

误差 2mA %2B 0.5%set

 

测温电流源

(辅)

量程 0 ~ 100mA / 10V

分辨率 0.01mA

误差 0~10mA 50μA %2B 0.5%set

误差 10 ~ 100mA 0.5mA %2B 0.5%set

 

测量通道

数量 4

动态电压测量范围 ?5V(差分模式)

动态电压测量误差 1mV %2B 0.5%set

动态电压量程 100mV200mV400mV800mV

动态电压分辨率 1.6μV

采样频率 1MHz

采样模式 连续变频采样

ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统的“温度系数标定”


ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统的“瞬态热测试”


四、数据处理与输出


4.1“数据处理与输出”ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统 

 

4.2“热模型抽取”ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统 

4.3“脉冲热阻”ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统

 

4.4“安全工作区”ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统

ST-HeatX迷你版10A5V1C1P版本

 

型号/规格

ST-HeatX

品牌/商标

天士立

实验对象

DIODE、MOSFET、IGBT/IGCT……

输出范围

-10V ~ 20V

分辨率

0.01V