供应MUN2213 SOT-23 NPN 预偏置晶体管

MUN2213产品概述

MUN2213he心特性

1. 高集成度与简化设计
   内置 47kΩ 基极串联电阻（R1）和 47kΩ 基极 - 发射极并联电阻（R2），无需外部偏置电路即可直接驱动逻辑信号，显著减少元件数量和 PCB 空间占用。典型直流电流增益（hFE）zui小值为 80（@5mA, 10V，适用于需要稳定增益的开关控制场景。
2. 宽工作范围与可靠性
   • 集电极 - 发射极电压（VCEO）：50V
   • 集电极电流（Ic）：100mA（连续）
   • 工作温度范围：-55℃至 %2B 150℃，适应极端环境下的长期运行。
   • 采用先进半导体工艺，集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）低至 0.25V，确保高效信号传输。
   • 集电极截止电流（ICEO）仅 500nA，有效降低漏电流干扰。

MUN2213典型应用

• 消费电子：手机、平板电脑的电源管理电路、背光控制及逻辑信号切换。
• 工业控制：PLC 输入输出模块、电机驱动电路的开关控制与信号隔离。
• 通信设备：基站射频模块、光纤通信接口的电平转换与信号调理。
• 办公设备：打印机、扫描仪的驱动电路及逻辑控制单元。

封装与引脚定义

• 封装形式：SOT-23-3（3 引脚）
• 引脚功能：
  • 引脚 1（基极 B）：控制信号输入。
  • 引脚 2（发射极 E）：接地或低电平参考。
  • 引脚 3（集电极 C）：输出信号或负载连接。
• 引脚排列：左下角为 1 脚，逆时针依次为 2、3 脚（B-E-C 顺序）。

技术参数

注意事项

1. 焊接工艺：建议采用回流焊，焊接温度控制在 260℃以内，避免元件过热损坏。焊接时需注意 SOT-23 封装的热阻特性，确保散热良好。
2. 存储条件：干燥环境（湿度≤60%），避免直接暴露于高温或腐蚀性气体中，存储温度范围为 - 55℃至 %2B 150℃。
3. 电路设计：使用前需确认电路参数，确保不超过元件的zui大额定值（如 VCEO、Ic）。由于内置 47kΩ 基极 - 发射极电阻（R2），需注意其对偏置电路的影响，尤其在截止状态下的漏电流控制。

MUN2213 凭借其高集成度、低饱和电压和可靠性能，成为中小功率电子电路的理想选择