供应2SD2352 TO-220 NPN硅晶体管

2SD2352 TO-220 NPN硅晶体管

2SD2352 he心参数

• 电压与电流能力： 集电极 - 发射极电压（VCEO）可达 400V（zui大值），适用于 400V 以下高压电路；集电极电流（IC）zui大 5A（连续），峰值 8A，满足开关电源、电子镇流器等高频开关需求。
• 功率耗散： 在 25℃环境温度下，安装标准散热片时功率耗散（PD）为 70W（TO-220）；无散热片时功率耗散需限制在 1.12W 以内（基于结到环境热阻 RθJA=62.5℃/W）。
• 直流电流增益（hFE）： 在 IC=2A、VCE=5V 条件下，hFE zui小值为 10，可通过低基极电流实现高功率输出。
• 饱和压降： 集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）为 1.1V，比传统功率晶体管降低约 25%，减少导通损耗。
• 工作温度： -65℃至 %2B 150℃宽温范围，适应工业环境及消费电子设备中的温度波动。
• 结构设计： 采用多外延平面工艺优化开关速度，环氧树脂外壳符合 UL94V-0 阻燃标准，无内置续流二极管，需外部配置保护电路。

2SD2352 产品特性

1. 高速开关与高压稳定性 采用平面扩散工艺，典型开关时间 ton=1μs、toff=2.9μs（@IC=2A），支持 50kHz 以上高频工作。例如，在反激式电源中可作为主开关管，配合变压器实现高效能量转换。
2. 低驱动需求与高电流增益 hFE 典型值 30（@2A），基极电流仅需 66.7mA 即可驱动 2A 负载（hFE=30 时），显著降低前级驱动电路复杂度。可直接由 PWM 控制器（如 UC3842）驱动，无需额外放大电路。
3. 低饱和压降与高效散热 VCE (sat) 典型值 1.1V（@3A），在 48V/3A 电源中可减少约 3.3W 功耗。TO-220 封装集成金属散热片，热阻 RθJC=1.78℃/W（结到壳），支持直接安装至铝制散热器，散热效率比 TO-263 提升 10%。
4. 高可靠性与宽温适应性 采用环氧树脂封装，抗机械冲击能力强；符合 RoHS 标准，无铅化工艺兼容现代绿色电子制造需求。-65℃至 %2B 150℃工作温度范围，可适应极端工业环境及消费电子设备中的温度波动。
5. 驱动电路优化设计 需外接基极电阻（如 22Ω）以限制驱动电流，抑制漏电流并提升抗干扰能力。

2SD2352 典型应用

• 开关电源：作为反激式、正激式电源的主开关管，输出功率可达 100W，适用于工业控制电源、LED 驱动电源等。
• 电子镇流器：驱动荧光灯镇流器的高频（20-60kHz）开关，兼容 110V/220V 输入电压，降低频闪并延长灯管寿命。
• 逆变器：用于 24V/48V 直流 - 交流转换，驱动小功率电机或应急电源，开关速度比普通功率晶体管提升 30%。
• 高压继电器控制：用于工业设备的高压继电器驱动，简化控制电路设计并提升可靠性。
• 音频放大器：在高保真音响系统中作为功率放大级，提供 5A 的输出电流，满足低失真音频放大需求。
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