供应2SB1370 TO-263 PNP功率晶体管

2SB1370 TO-263 PNP功率晶体管

2SB1370he心参数

• 电压与电流能力：
  集电极 - 发射极电压（VCEO）达 - 60V（zui小值），适用于 60V 以下中高压电路；集电极电流（IC）zui大 - 3A（连续），峰值电流 - 6A，满足中小功率音频放大及高压开关需求。
• 功率耗散：
  在 25℃环境温度下，安装标准散热片时功率耗散（PD）为 30W（TC=25℃）；无散热片时功率耗散需限制在 2W 以内（基于结到环境热阻 RθJA=65℃/W）。
• 直流电流增益（hFE）：
  在 IC=-1A、VCE=-5V 条件下，hFE zui小值为 100，典型值 100-320，分为 Q（100-140）、ANG（140-320）两个等级，可稳定实现高保真音频放大。
• 饱和压降：
  集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）为 - 1.5V，典型值仅 - 0.3V（@IC=-2A），比传统音频晶体管降低约 50%，显著减少导通损耗。
• 工作温度：
  -55℃至 %2B 150℃宽温范围，适应工业环境及消费电子应用。
• 结构设计：
  采用平面外延工艺优化线性度，环氧树脂外壳符合 UL94V-0 阻燃标准。

2SB1370产品特性

1. 中高压开关与音频放大能力
   VCEO 达 - 60V，特别适合 60V 以下音频功率放大及中高压开关应用，如汽车音响、工业控制模块。集电极电流 - 3A（连续）、-6A（峰值），支持直接驱动 8Ω/50W 扬声器负载，满足高保真音质需求。其高电流增益（hFE 典型值 100-320）可有效降低前级驱动电路复杂度，简化设计。
2. 极低饱和压降与高效散热
   VCE (sat) 典型值仅 - 0.3V（@-2A），在大电流导通时功耗显著降低。例如，在 24V/-2A 电源中可减少约 4.2W 功耗，提升系统效率。TO-220F 封装集成大面积金属散热片，热阻 RθJC=3.8℃/W（结到壳），支持直接焊接至 PCB 铜箔或散热器，散热效率比普通 TO-92 提升 50%。
3. 高可靠性与宽温适应性
   采用环氧树脂封装，抗机械冲击能力强；符合 RoHS 标准，无铅化工艺兼容现代绿色电子制造需求。-55℃至 %2B 150℃工作温度范围，可适应极端工业环境及消费电子设备中的温度波动。
4. 内置二极管保护
   集成反向并联集电极 - 发射极二极管，无需外部续流二极管即可保护电路免受感性负载（如电机、变压器）产生的反向电压冲击，简化设计并降低成本。

2SB1370典型应用

• 音频功率放大器：作为乙类或甲乙类放大器的输出级，驱动扬声器实现高保真音质，支持 12-60V 供电系统，适用于家庭音响、汽车音响及zhuan业舞台设备。
• 中高压开关电源：在反激式或正激式开关电源中作为次级开关元件，配合 PWM 控制器实现高效功率转换，典型应用于工业设备电源和医疗设备。
• 电机驱动模块：作为低侧开关驱动小型高压直流电机或步进电机，通过 PWM 控制实现速度调节，尤其适合 60V 以下供电的自动化设备。
• 工业控制信号放大：在 PLC（可编程逻辑控制器）中作为信号放大与隔离元件，控制高压继电器、电磁阀等高负载设备，确保工业系统稳定运行。
•