供应MBRB10100 TO-263 共阴极双肖特基

MBRB10100 的产品描述

he心参数与性能

• 电压与电流规格：zui大重复峰值反向电压为 100V，zui大正向平均整流电流达 10A，可承受 150A 的正向不重复浪涌电流或 150A，适用于中低压、中等电流场景。
• 低损耗特性：典型正向压降（VF）低至 0.8V，有效降低导通损耗；反向漏电流（IR）≤100μA，高温下漏电流≤20mA，确保高可靠性。
• 高频开关能力：反向恢复时间（trr）趋近于零，显著降低高频开关损耗，适用于 50kHz 以上的中低压开关电源、逆变器等场景。

封装与物理特性

• TO-263 封装：采用表面贴装型 TO-263封装，尺寸约为 10.6mm?9.65mm?4.45mm，引脚间距 2.75mm，金属背板设计优化散热性能，热阻低至 2℃/W。
• 共阴极双二极管结构：三引脚配置，适用于半桥、全桥等多种拓扑结构，简化电路设计。
• 环境适应性：工作结温范围 - 65℃至 %2B 150℃

MBRB10100 的应用领域

• 工业设备：中低压电机驱动、变频调速系统的高效能量管理。
• 新能源领域：中小型太阳能逆变器、储能系统的中低压整流与能量转换。
• 汽车电子：车载高压充电器、DC-DC 转换器的快速开关与反向保护。
• 消费电子：服务器电源、通信设备的中低压整流与续流。
• 医疗设备：医疗电源模块的低损耗整流与电源管理。
• LED 驱动：高压 LED 照明系统的高效整流与恒流控制。
• 无线充电：高压无线充电接收器的同步整流与能量转换。

MBRB10100 的产品优势

• 中低压性能：100V 反向耐压能力，满足工业设备、新能源等中低压应用需求。
• 低正向压降：典型 VF=0.8V，相比传统硅二极管降低 30% 以上导通损耗。
• 高可靠性：采用 GPP 芯片和钝化工艺，增强抗冲击能力，通过 UL94 V-0 阻燃封装ren证，满足严苛环境下的长期使用。
• 兼容性设计：兼容 TO-220AB 等封装，便于替换升级；支持回流焊和波峰焊，符合 JESD 22-B106 焊接标准

MBRB10100 的典型技术参数表

注意事项

• 建议在散热良好的 PCB 布局中使用，确保结温不超过 150℃