供应10N80 TO-220 N沟道 高压功率场效应管

10N80 TO-220d的he心功能与技术特性

型号与封装：10N80 TO-220 是一款高压 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用TO-220 双列直插封装，集成金属散热片，专为800V 高压、高频开关电路设计。

其设计用于高效功率转换，支持快速导通 / 关断，广泛应用于高压开关电源、工业逆变器、电机驱动及新能源汽车充电等场景。

• 电压规格：
  • 漏源击穿电压（VDS）：800V。
  • 栅源电压（VGS）：?30V。
• 电流规格：
  • 连续漏极电流（ID）：10A。
  • 脉冲漏极电流（IDM）：40A）。
• 导通电阻（RDS (ON)）：
  • 典型值：0.72Ω~0.9Ω；部分型号如 STF10N80K5 为0.47Ω，需注意测试条件差异。
  • 温度特性：RDS (ON) 随结温升高而增大，需通过散热设计控制温升。
• 开关特性：
  • 栅极电荷（Qg）：22nC~35nC，低电荷设计提升开关速度，降低驱动损耗。
  • 反向恢复时间（Trr）：25ns~320ns，适合高频 PWM 控制。
• 热特性：
  • 结温（Tj）：-55℃~%2B150℃。
  • 热阻（RθJC）：≤1.5℃/W，结到环境热阻（RθJA）：无散热器时约 60℃/W~80℃/W。

• 功率耗散（PD）：65W~100W。
• 零栅极电压漏电流（IDSS）：≤10μA（确保低待机功耗）。
• 反向传输电容（Crss）：≤5pF，降低开关损耗，提升 EMI 性能。

• 雪崩击穿保护：支持高能量瞬态电压吸收，确保器件可靠性。
• 过流保护：内置限流特性，可承受短时脉冲电流。
• 过热保护：通过散热片设计和强制风冷防止结温超限。

10N80 TO-220的封装与散热设计

• TO-220 封装特性：
  • 引脚定义：3 脚分别为栅极（G）、漏极（D） 和源极（S），金属散热片与漏极相连，需通过螺丝固定至散热器。
  • 散热优化：
    • 使用导热硅脂增强封装与散热器接触，可降低结温 10%-20%。
    • 典型散热an例：在 800V 电压、10A 电流下，功耗约为 10A?0.8Ω=80W，需搭配面积≥50cm? 的铝制散热片或强制风冷。

10N80 TO-220的应用场景与解决方案

1. 高压开关电源与适配器：
   • AC/DC 电源转换：作为 PFC电路或半桥 / 全桥拓扑的开关管，支持宽电压输入（85-265VAC），输出功率可达 150W~500W。
   • LLC 谐振转换器：利用低 Crss 特性实现软开关，提升转换效率至 95% 以上，适用于高功率密度场景。
2. 工业与新能源设备：
   • 光伏逆变器与储能系统：作为 DC-DC 升压或 DC-AC 逆变的功率器件，支持 400V~800V 直流母线，应用于光伏电站、储能 PCS。
   • 充电桩模块：在光储充一体化系统中，控制高压直流母线的通断，支持大功率充电。
3. 电机驱动与控制：
   • 高压 H 桥 PWM 马达驱动：通过 PWM 信号控制电机速度，兼容 24V~800V 电压等级，适用于工业机器人、电梯曳引机等设备。
   • 电动汽车 OBC（车载充电器）：支持 800V 高压电池系统，实现高效 AC-DC 转换，满足快充需求。
4. 特殊功能扩展：
   • 逻辑电平驱动：低阈值电压支持直接连接微控制器的 GPIO 输出，简化驱动电路设计。
   • 高 dv/dt 耐受：部分型号通过优化栅极结构，支持高电压变化率，减少或省略吸收电路，直接驱动感性负载。
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