供应7N65 TO-220封装 650V/7A N沟道MOSFET

一、7N65 TO-220 的he心功能与技术优势

高压大电流处理能力

• 漏源电压（Vdss）：650V，适用于高压开关电源、逆变器及工业控制电路，可耐受电网波动与感性负载瞬态冲击。
• 连续漏极电流（Id）：7A，脉冲电流可达 28A，满足短时峰值负载需求。
• 导通电阻（Rds (on)）：
  • 典型值 1.1Ω~1.4Ω
  • 温度特性：Rds (on) 随结温升高而增大，设计时需预留 20% 裕量。

高频低损耗设计

• 栅极电荷（Qg）：典型值29nC~38nC，支持 20kHz 以上高频 PWM 应用，降低驱动损耗。
• 反向传输电容（Crss）：6pF~16pF，减少米勒效应干扰，提升开关速度。
• dv/dt 耐受能力：≥5V/ns，抑制电压尖峰，增强电路稳定性。

全功能保护机制

• 雪崩能量（Eas）：典型值280mJ~350mJ，耐受感性负载的瞬态电压冲击。
• 过热保护：结温（Tj）≥150℃时自动限制功耗，温度降低后恢复，避免热失控。
• 反向电流保护：内置体二极管，支持续流功能。

二、7N65 TO-220 的关键技术参数表

三、7N65 TO-220 的封装与应用场景

封装特性

• 物理设计：
  • TO-220 直插式：金属散热片直接连接漏极（D），支持大电流场景下的高效散热，但需在散热片与电路板间加绝缘垫。
• 引脚布局：标准三端设计（G 栅极、D 漏极、S 源极），兼容传统功率器件的 PCB 布局，便于替代升级。
• 散热优化：
  • 功耗计算示例：Vds=400V，Id=7A，Rds (on)=1.1Ω 时，导通损耗为 7??1.1=53.9W，需通过散热片将结温控制在≤150℃。
  • PCB 建议：漏极走线宽度≥4mm，源极大面积铺铜，采用 70μm 铜箔提升散热效率；TO-220F 封装建议在漏极引脚周围增加散热过孔。

7N65 TO-220 的典型应用领域

1. 开关电源与逆变器：
   • AC-DC 转换：作为 PFC 电路或半桥拓扑的开关管，支持 650V 母线电压。
   • DC-DC 升压 / 降压：如将 48V 输入转换为 400V 输出，适用于储能变流器、激光驱动电源。
2. 电机驱动与工业控制：
   • 高压伺服电机控制：驱动 300V 供电的无刷直流电机，利用内置体二极管实现续流。
   • 工业自动化：PLC 电源模块、高压电磁阀驱动，耐受电压瞬变与电磁干扰。
3. 汽车电子：
   • 车载逆变器：将 48V 电池转换为 220V 交流电，为车载设备供电。
   • 电动车 OBC（车载充电机）：作为高压侧开关，需通过 AEC-Q101 ren证。
4. 电池管理与储能系统：
   • 锂电池保护板：大电流充放电控制，支持 7A 连续电流。
   • 太阳能逆变器：DC-AC 转换的功率开关，提升能量转换效率。