US1M 是一款超快恢复二极管，广泛应用于需要高效率、高可靠性的整流和开关电路中。
产品特性
高反向耐压：反向峰值电压（VRRM）为1000V
适中的正向电流：平均整流电流（IF(AV)）为1A
快速恢复时间：反向恢复时间（trr）为75纳秒
低正向压降：在1A电流下，正向压降（VF）为1.7V
低反向漏电流：在25℃时，反向漏电流（IR）为5μA
封装形式：US1M采用SMA（DO-214AC）封装，适合表面贴装
工作温度范围：-55℃至%2B150℃
应用场景
电源管理：在开关电源、逆变电源等电路中，能够提供高效的整流和开关功能
电机控制：在电机驱动和控制系统中，可用于实现PWM（脉宽调制）控制，提高电机运行效率
通信设备：在通信设备中，可用于信号整流和开关，确保信号传输的准确性和稳定性
高频开关：适用于高频开关电路，能够快速响应，减少开关损耗
- 续流保护：在电感性负载电路中，可用作续流二极管，保护电路免受反向电动势的损害
工作原理
当反向电压施加在二极管两端时，PN结的势垒增高，载流子难以穿过PN结，电流很小。US1M的反向漏电流（IR）在25℃时为5μA，确保在反向偏置时的高阻抗和低功耗
当二极管从正向导通状态切换到反向阻断状态时，存储在PN结中的少数载流子需要时间消散，形成反向恢复电流。这个过程称为反向恢复，其时间称为反向恢复时间（trr）。US1M的trr为75纳秒，这使得它在高频电路中表现出色，能够有效减少开关损耗
特殊的结构设计和材料优化，实现了超快的反向恢复时间。例如，采用高浓度掺杂层和窄基区结构，可以减少少数载流子的扩散距离和复合时间。此外，金掺杂技术可以降低载流子寿命，加速复合过程
封装与机械数据
总结
