T1190N12TOF门极关断可控硅(GTO)

Thyristor PCT 1.2kV 2800A(RMS) 25.5kA 4Pin T7526K-1 Tray
Summary of Features:T1190N12TOF 
.Full blocking capability 50/60 Hz over a wide temperature range.High DC blocking stability.High surge current capability.High turn-on di/dt capability.High dv/dt capability

技术参数：
额定功率350 W
针脚数：24
极性N-Channel
耗散功率：350 W
输入电容(Cies)5.3nF @25V
工作温度(Max)：125 ℃
工作温度(Min)：-40 ℃
耗散功率(Max)：355 W
封装参数：
安装方式：Solder

工作温度-40℃ ~ 125℃

INFINEON Thyristor PCT 1.2kV 2800A(RMS) 25.5kA 4Pin T7526K-1 Tray
Summary of Features:
.Full blocking capability 50/60 Hz over a wide temperature range.High DC blocking stability.High surge current capability.High turn-on di/dt capability.High dv/dt capability
  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105A, 2.3V, 350W, 1.2kV, EconoPIM, T1190N12TOF  T1190N12TOF  T1190N12TOF T1190N12TOF 

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，

　　①各路控制电源要相互隔离，并能达到一定的绝缘等级要求。
　　②在大功率的逆变器中，下桥臂的开关管也要各自用一个隔离电源，以避免产生回路噪音，只是这几路电源的隔离电压不需太高。

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