MG15Q6ES50A 可控硅模块IGBT

供应TOPSHIBA MG15Q6ES50A IGBT可控硅逆变器模块 

技术参数：
额定功率350 W
针脚数：24
极性N-Channel
耗散功率：350 W
输入电容(Cies)5.3nF @25V
工作温度(Max)：125 ℃
工作温度(Min)：-40 ℃
耗散功率(Max)：355 W
封装参数：
安装方式：Solder

封装：AG-ECONO3-3
外形尺寸：
长度：122 mm
宽度：62 mm
高度：17 mm
封装：AG-ECONO3-3
物理参数：
工作温度-40℃ ~ 125℃

MG15Q6ES50A  MG15Q6ES50A MG15Q6ES50A晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105A, 2.3V, 350W, 1.2kV, EconoPIM,  IGBT逆变器模块

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

 IGBT模块应用中应注意的事项有：
　　①各路控制电源要相互隔离，并能达到一定的绝缘等级要求。
　　②在大功率的逆变器中，下桥臂的开关管也要各自用一个隔离电源，以避免产生回路噪音，只是这几路电源的隔离电压不需太高。

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