IGBT阵列&模块FS150R12KT4_B9 原装现货

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晶体管, IGBT阵列&模块, 沟槽/场截止, N沟道, 150 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, Module

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     公司主营原装进口电子元器件:Infineon/英飞凌、Semikron/西门康、IXYS/艾赛斯、SANREX/三社、FUJI/富士、Mitsubishi /三菱、MACMIC宏微、Westcode/西玛、TECHSEM/台基、美国IR 、Microsemi/美高森美快恢复二极管、整流桥,IGBT模块、ABB可控硅晶闸管;Bussmann/巴斯曼、Siemens/西门子、Ferraz/罗兰 、Hinode/日之出、德国SIBA西霸、JEAN MULLER 、茗熔、长城等品牌熔断器;瑞士CONCEPT驱动;Hicon/海立电容器、EPCOS电容、Jianghai/江海电容器等;


























工作温度(Max)


技术参数
耗散功率
750 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容(Cies)
9.35nF @25V
额定功率(Max)
750 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
750000 mW
封装参数
引脚数
35
封装
AG-ECONO3-4
外形尺寸
封装
AG-ECONO3-4
物理参数
工作温度
-40℃ ~ 150℃













型号/规格

FS150R12KT4_B9

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

额定功率

750 W

额定电压

1200V

工作温度

-40℃ ~ 150

封装

ECONO3-4