全新原装进口IRF5210PBF

IRF5210PBF场效应管参数:

品牌：Infineon Technologies
描述：MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
包装：50/管件
IRF5210PBF场效应管属性：
FET 类型：P 通道；  技术：MOSFET（金属氧化物）；  漏源电压（Vdss）：100V；  电流 - 连续漏极（Id）（25?C 时）：40A（Tc）；  驱动电压（ Rds On， Rds On）：10V；  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（值）：60 毫欧 @ 24A，10V；  不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：4V @ 250μA；  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（值）：180nC @ 10V；  Vgs（值）：?20V；  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：2700pF @ 25V；  功率耗散（值）：200W（Tc）；  工作温度：-55?C ~ 175?C（TJ）；  安装类型：通孔；  供应商器件封装：TO-220AB；  封装/外壳：TO-220-3；  

IRF5210PBF是一款N沟道MOSFET晶体管，适用于高速开关应用。它具有低导通电阻和高电流承载能力，使其成为广泛应用于工业和汽车电子领域的理想选择。IRF5210PBF采用TO-220封装，可承受高达100V的电压并具有连续电流承载能力为18A。它的导通电阻非常低，仅为0.04Ω，使得其能够在高电流和高功率的应用中具有出色的性能。该晶体管具有快速开关速度和较低的开关损耗，这使得它非常适合需要高频开关的应用。此外，IRF5210PBF还具有过温保护和静电保护等特性，以确保其在各种环境条件下的可靠性和稳定性。IRF5210PBF可以广泛应用于电源管理、马达控制、逆变器和电动汽车等领域。它在这些应用中可以实现高效能的开关操作，从而提高系统的性能和效率。