FDA59N30 MOS(场效应管) 原装供应
地区：广东 深圳
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无
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| 类别 | 分立半导体产品 |
| 晶体管 | |
| FET，MOSFET | |
| 单 FET，MOSFET | |
| 制造商 | onsemi |
| 系列 | UniFET? |
| 包装 | 管件 |
| Product Status | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 300 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 59A（Tc） |
| 驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） | 56 毫欧 @ 29.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（大值） | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） | 100 nC @ 10 V |
| Vgs（大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） | 4670 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（大值） | 500W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 基本产品编号 | FDA59 |
FDA59N30
ON/安森美
TO-3P
20+
30000
