CSD16322Q5C，TI品牌原装
地区：广东 深圳
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| 类别 | 分立半导体产品 |
| 晶体管 | |
| FET，MOSFET | |
| 单 FET，MOSFET | |
| 制造商 | Texas Instruments |
| 系列 | NexFET? |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 剪切带（CT） | |
| Digi-Reel? 得捷定制卷带 | |
| Product Status | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta），97A（Tc） |
| 驱动电压 | 3V，8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻 | 5 毫欧 @ 20A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th) | 1.4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) | 9.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs | +10V，-8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss) | 1365 pF @ 12.5 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散 | 3.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 基本产品编号 | CSD1632 |
CSD16322Q5C
TI(德州仪器)
VSON-8
20+
